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FDD16AN08A0-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:135W(Tc) 20V 4V@ 250uA 47nC@ 10 V 2个N沟道 75V 16mΩ@ 50A,10V 9A,50A 1.874nF@ 25V TO-252AA 贴片安装 2.52mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252AA  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.52mm(高度)  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
FET类型 2个N沟道  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 9A,50A  
Vds-漏源极击穿电压 75V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA  
最大功率耗散 135W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 20V  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.874nF@ 25V  
栅极电荷 47nC@ 10 V  
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 50A,10V  
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