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TK100E08N1,S1X(S-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:255W 20V 130nC@ 10V 1个N沟道 80V 3.2mΩ@ 10V 9nF@ 40V 通孔安装 10.16mm*4.45mm*8.59mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 10.16mm*4.45mm*8.59mm  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 -  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@ 10V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 255W  
配置 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -  
栅极电荷 130nC@ 10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@ 40V  
Id-连续漏极电流 -  
通道数量 1  
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