处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
HSH047P06--云汉芯城ICKey.cn

HSH047P06 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥14.6761
10+ ¥12.5486
30+ ¥11.1613
100+ ¥9.2027
500+ ¥8.5909
800+ ¥8.3354
  • 库存: 800 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

HUASHUO/深圳华朔半导体

厂牌: HUASHUO/深圳华朔半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 800

批次: 2448+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:183W 20V 280nC@ 4.5V 1个P沟道 60V 3.9mΩ@ 10V,50A 150A 17.9nF@ 25V TO-263-2
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263-2  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 -  
Id-连续漏极电流 150A  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
最大功率耗散 183W  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 10V,50A  
FET类型 1个P沟道  
配置 -  
栅极电荷 280nC@ 4.5V  
Vgs-栅源极电压 20V  
通道数量 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 17.9nF@ 25V  
推荐替代 查看更多>
HSH047P06
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
2SJ661-DL-1E
厂牌: ON Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
RM60P60HD
厂牌: RECTRON/台湾丽正
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
HYG200P10LR1B
厂牌: HUAYI/西安华羿微电子
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧