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2N7002BKV,115-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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描述:525mW 20V 2.1V@ 250µA 0.6nC@ 4.5V 2个N沟道 60V 1.6Ω@ 500mA,10V 340mA 50pF@10V SOT-666 贴片安装 1.7mm(长度)*1.3mm(宽度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-666  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 150℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.7mm(长度)*1.3mm(宽度)  
应用等级 汽车级  
零件状态 新设计不推荐  
包装方式 卷带装  
配置  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Vgs-栅源极电压 20V  
栅极电荷 0.6nC@ 4.5V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@10V  
FET类型 2个N沟道  
Id-连续漏极电流 340mA  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.6Ω@ 500mA,10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA  
最大功率耗散 525mW  
通道数量 2  
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