处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
BUK9Y14-80E,115-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

BUK9Y14-80E,115 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥9.2427
10+ ¥8.0941
30+ ¥6.7481
100+ ¥6.4968
300+ ¥6.2516
1000+ ¥5.9824
  • 库存: 722 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

NEXPERIA

厂牌: NEXPERIA

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1500

批次: 2149+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:147W(Tc) 10V 2.1V@1mA 28.9nC@ 5 V 1个N沟道 80V 14mΩ@ 15A,10V 62A 4.64nF@25V LFPAK 贴片安装 1.1mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 LFPAK  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 1.1mm(高度)  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 15A,10V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@1mA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.64nF@25V  
Vgs-栅源极电压 10V  
Id-连续漏极电流 62A  
通道数量 1  
配置 独立式  
最大功率耗散 147W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
栅极电荷 28.9nC@ 5 V  
推荐替代 查看更多>
RJK0301DPB-00#J0
厂牌: Renesas Electronics
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 72%
去搜索
PH3120L,115
厂牌: NXP Semiconductors
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 72%
去搜索
PSMN4R0-40YS,115
厂牌: nexperia
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 72%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧