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PSMN2R4-30MLDX-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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厂牌: NEXPERIA

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描述:91W(Tc) 20V 2.2V@1mA 51nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.4mΩ@ 25A,10V 70A 3.264nF@15V LFPAK-33 贴片安装 2.6mm(宽度)*900μm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 LFPAK-33  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.6mm(宽度)*900μm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@1mA  
最大功率耗散 91W(Tc)  
栅极电荷 51nC@ 10 V  
Id-连续漏极电流 70A  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 25A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.264nF@15V  
配置 独立式  
FET类型 1个N沟道  
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