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2N7002NXAKR-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:265mW(Ta),1.33W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 0.43nC@ 4.5 V 1个N沟道 60V 4.5Ω@ 100mA,10V 190mA,300mA 20pF@10V TO-236AB 贴片安装 1.1mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-236AB  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.1mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
FET类型 1个N沟道  
Id-连续漏极电流 190mA,300mA  
最大功率耗散 265mW(Ta),1.33W(Tc)  
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5Ω@ 100mA,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 20pF@10V  
配置 独立式  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
栅极电荷 0.43nC@ 4.5 V  
通道数量 1  
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