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SI7613DN-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY SEMICONDUCTORS

厂牌: VISHAY SEMICONDUCTORS

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描述:3.8W(Ta),52.1W(Tc) 16V 2.2V@ 250µA 87nC@ 10 V 1个P沟道 20V 8.7mΩ@ 17A,10V 35A 2.62nF@10V DFN-3 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -50℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 3.05mm*3.05mm*1.07mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 87nC@ 10 V  
FET类型 1个P沟道  
最大功率耗散 3.8W(Ta),52.1W(Tc)  
配置 -  
通道数量 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA  
Vgs-栅源极电压 16V  
Id-连续漏极电流 35A  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.62nF@10V  
Rds(On)-漏源导通电阻 8.7mΩ@ 17A,10V  
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