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STD60NF06T4-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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STMICROELECTRONICS

厂牌: STMICROELECTRONICS

供应商: 云汉在库

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描述:STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET II系列, Vds=60 V, 60 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DPAK,TO-252-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.63mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 30A,10V  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 60A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.81nF@25V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
最大功率耗散 110W(Tc)  
栅极电荷 66nC@ 10 V  
FET类型 1个N沟道  
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