处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
NCE0110AK-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

NCE0110AK 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
10+ ¥1.0346
100+ ¥0.8047
200+ ¥0.6964
3000+ ¥0.6035
9000+ ¥0.5571
21000+ ¥0.5136
  • 库存: 15000 起订量: 10 增量: 10
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

标准整包数: 2500

批次: 2606+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:40W 20V 1.5V 35nC 1个N沟道 100V 130mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,140(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 10mA 980pF@50V TO-252 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~175℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 980pF@50V  
配置 -  
栅极电荷 35nC  
最大功率耗散 40W  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V  
Id-连续漏极电流 10mA  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,140(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,  
FET类型 1个N沟道  
推荐替代 查看更多>
HSU12N10
厂牌: HUASHUO/深圳华朔半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
IRFR18N15DTRLPBF
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
AOD422
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 89%
去搜索
SPD03N60S5BTMA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 89%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧