处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
NCE65T360K-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

NCE65T360K 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
10+ ¥4.6453
100+ ¥3.613
200+ ¥3.1267
3000+ ¥2.7098
9000+ ¥2.5013
21000+ ¥2.3062
  • 库存: 456 起订量: 10 增量: 10
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

标准整包数: 2500

批次: 2551+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:101W 30V 3.5V 19nC@ 10V 1个N沟道 650V 360mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 11.5A 870pF@50V TO-252-2
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252-2  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 650V  
Vgs-栅源极电压 30V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V  
FET类型 1个N沟道  
配置 -  
栅极电荷 19nC@ 10V  
Id-连续漏极电流 11.5A  
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,  
通道数量 -  
最大功率耗散 101W  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 870pF@50V  
推荐替代 查看更多>
IRLR3410TRPBF
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 81%
去搜索
IRFR3710ZTRPBF
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 81%
去搜索
RM5N700LD
厂牌: RECTRON/台湾丽正
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 89%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧