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FDS6673BZ-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2.5W(Ta) 25V 3V@ 250µA 124nC@ 10 V 1个P沟道 30V 7.8mΩ@ 14.5A,10V 14.5A 4.7nF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
Vgs-栅源极电压 25V  
FET类型 1个P沟道  
栅极电荷 124nC@ 10 V  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
最大功率耗散 2.5W(Ta)  
Rds(On)-漏源导通电阻 7.8mΩ@ 14.5A,10V  
Id-连续漏极电流 14.5A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA  
配置 独立式quaddraintriplesource  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@15V  
通道数量 1  
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