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IRFB3306PBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 160 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220AB  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 9.02mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
配置 独立式  
最大功率耗散 230W(Tc)  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.52nF@50V  
Vgs-栅源极电压 20V  
Id-连续漏极电流 120A  
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 75A,10V  
通道数量 1  
栅极电荷 120nC@ 10 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
FET类型 1个N沟道  
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