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FQD13N06LTM-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2.5W(Ta),28W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 6.4nC@ 5 V 1个N沟道 60V 115mΩ@ 5.5A,10V 11A 350pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252AA  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@ 5.5A,10V  
最大功率耗散 2.5W(Ta),28W(Tc)  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V  
栅极电荷 6.4nC@ 5 V  
Id-连续漏极电流 11A  
Vgs-栅源极电压 20V  
配置 独立式  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
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