处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
BSP149H6327--云汉芯城ICKey.cn

BSP149H6327 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥3.801
10+ ¥3.5042
30+ ¥2.9116
100+ ¥2.5385
300+ ¥2.4393
1000+ ¥2.3377
  • 库存: 33 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1000

批次: 2346+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:1.8W 20V 1V 11nC@ 5V 1个N沟道 200V 1.8Ω@ 10V 660mA 326pF@ 25V SOT-223-4 贴片安装,通孔安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-223-4  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装,通孔安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.6mm  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 326pF@ 25V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8Ω@ 10V  
Vgs-栅源极电压 20V  
栅极电荷 11nC@ 5V  
Id-连续漏极电流 660mA  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V  
最大功率耗散 1.8W  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 200V  
配置 独立式  
推荐替代 查看更多>
BSP149
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
BSP149 H6906
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 100%
去搜索
BSP149 E6327
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 76%
去搜索
FQT4N20TF
厂牌: ON Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 76%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧