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NCE3008M-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

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描述:2.5W 20V 1.6V 14.2nC@ 10V 1个N沟道 30V 22.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,31(mΩ) @VGS=4.5V,25℃, 8mA SOT-89 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-89  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 -  
栅极电荷 14.2nC@ 10V  
配置 -  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V  
最大功率耗散 2.5W  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 22.5mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,31(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,  
通道数量 -  
Vgs-栅源极电压 20V  
Id-连续漏极电流 8mA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
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