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ZXMN3B01FTA-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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DIODES

厂牌: DIODES

供应商: 云汉在库

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描述:625mW(Ta) 12V 700mV@ 250µA (Min) 2.93nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 150mΩ@ 1.7A,4.5V 1.7A 258pF@15V SOT-23-3 贴片安装 3.04mm*1.4mm*1.02mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 3.04mm*1.4mm*1.02mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
FET类型 1个N沟道  
Vgs-栅源极电压 12V  
最大功率耗散 625mW(Ta)  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 258pF@15V  
栅极电荷 2.93nC@ 4.5 V  
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 1.7A,4.5V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV@ 250µA (Min)  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 1.7A  
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