处理中...

低价
拼团
C2M0160120D-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

C2M0160120D 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
400+ ¥59
800+ ¥57.5
  • 库存: 20000 起订量: 450 增量: 450
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后3-5工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

CREE

厂牌: CREE

供应商型号: C2M0160120D

供应商: 国内现货

标准整包数: 450

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:100μA 32.6nC 125W 1.2KV 40W 1 160mΩ 17.7A 1.2KV 2.5V 10V,25V 独立式 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>碳化硅场效应管  
通用封装 TO-247-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 管装  
击穿电压 1.2KV  
通道数量 1  
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ  
FET类型 1个N沟道  
最大功率 40W  
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV  
Vgs-栅源极电压 10V,25V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V  
栅极电荷 32.6nC  
Id-连续漏极电流 17.7A  
Idss-饱和漏极电流 100μA  
最大功率耗散 125W  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
推荐替代 查看更多>
C2M0160120D
厂牌: isc/无锡固电半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
C2M0160120D
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 未分类
相似度: 推荐替代
去搜索
UJ3C120150K3S
厂牌: United Silicon Carbide
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 76%
去搜索
C2M0160120D
厂牌: WOLFSPEED
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 76%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧