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BSC123N08NS3G-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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INFINEON TECHNOLOGIES

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=80 V, 55 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SON  
RoHS 合规  
安装方式 支架安装,贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 55A  
最大功率耗散 2.5KW  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.43nF@ 40V  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
配置 独立式  
栅极电荷 19nC@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V  
Rds(On)-漏源导通电阻 12.3mΩ@ 10V  
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