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STP6NK60Z-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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STMICROELECTRONICS

厂牌: STMICROELECTRONICS

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描述:110W(Tc) 30V 4.5V@ 100µA 46nC@ 10 V 1个N沟道 600V 1.2Ω@ 3A,10V 6A 905pF@25V TO-220 通孔安装 9.15mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 9.15mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 新设计不推荐  
包装方式 管装  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 6A  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 100µA  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 3A,10V  
栅极电荷 46nC@ 10 V  
最大功率耗散 110W(Tc)  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 905pF@25V  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 600V  
Vgs-栅源极电压 30V  
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