处理中...

低价
拼团
TP65H015G5WS-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

TP65H015G5WS 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度
数量:
× --(单价)
合计: $ --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

transphorm

厂牌: transphorm

供应商型号: ATG-TP65H015G5WS

供应商: 海外现货

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:266W(Tc) 4.8V@2mA 100nC@ 10 V 650V 18mΩ@ 60A,10V 93A 5.218nF@400V 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>氮化镓场效应管  
通用封装 TO-247-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Vds-漏源极击穿电压 650V  
最大功率耗散 266W(Tc)  
通道数量 -  
栅极电荷 100nC@ 10 V  
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 60A,10V  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.218nF@400V  
配置 -  
Vgs-栅源极电压 -  
Idss-饱和漏极电流 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.8V@2mA  
Id-连续漏极电流 93A  
最大功率 -  
击穿电压 -  
推荐替代 查看更多>
GAN041-650WSBQ
厂牌: nexperia
分类: 氮化镓场效应管
相似度: 73%
去搜索
TP65H035WS
厂牌: transphorm
分类: 氮化镓场效应管
相似度: 73%
去搜索
TP90H050WS
厂牌: transphorm
分类: 氮化镓场效应管
相似度: 73%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧