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2SK3065T100-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:500mW(Ta) 20V 1.5V@1mA 1个N沟道 60V 320mΩ@ 1A,4V 2A 160pF@10V MPT-3 贴片安装 1.5mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 MPT-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 150℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.5mm(高度)  
应用等级 -  
零件状态 新设计不推荐  
包装方式 卷带装  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 2A  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 500mW(Ta)  
栅极电荷 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 160pF@10V  
Rds(On)-漏源导通电阻 320mΩ@ 1A,4V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@1mA  
通道数量 1  
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