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US6M11TR-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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描述:1W 10V 1V@1mA 1.8nC@ 4.5V 2N+2P沟道 20V,12V 180mΩ@ 1.5A,4.5V 1.5A,1.3A 110pF@10V SOT-363T-6 贴片安装 820μm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-363T-6  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 150℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 1.8nC@ 4.5V  
通道数量 2  
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 1.5A,4.5V  
Vds-漏源极击穿电压 20V,12V  
最大功率耗散 1W  
配置  
Vgs-栅源极电压 10V  
Id-连续漏极电流 1.5A,1.3A  
FET类型 N+P沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 110pF@10V  
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