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IRFH5300TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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INFINEON TECHNOLOGIES

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描述:Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 HEXFET系列, Vds=30 V, 100 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 PQFN-5,PQFN-8,TDSON-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 5mm*6mm*830μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 50A,10V  
FET类型 1个N沟道  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 150µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.2nF@15V  
Id-连续漏极电流 40A,100A  
栅极电荷 120nC@ 10 V  
最大功率耗散 3.6W(Ta),250W(Tc)  
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