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SI7115DN-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:3.7W(Ta),52W(Tc) 20V 4V@ 250µA 42nC@ 10 V 1个P沟道 150V 295mΩ@ 4A,10V 8.9A 1.19nF@50V SOP-8 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SMD  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -50℃~150℃  
长*宽*高 3.05mm*3.05mm*1.07mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 -  
配置 -  
FET类型 2个P沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@ 50V  
Vds-漏源极击穿电压 150V  
栅极电荷 42nC@ 10 V  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 295mΩ@ 4A,10V  
最大功率耗散 3.7W(Ta),52W(Tc)  
Id-连续漏极电流 8.9A  
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