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IPD50P04P4L-11-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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厂牌: Infineon Technologies/IR

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描述:58KW 16V 2.2V 45nC@ 10V 1个P沟道 40V 10.6mΩ@ 10V 50A 3nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm*622cm*2.51mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~175℃  
长*宽*高 6.5mm*622cm*2.51mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 45nC@ 10V  
Rds(On)-漏源导通电阻 10.6mΩ@ 10V  
Vgs-栅源极电压 16V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3nF@ 25V  
最大功率耗散 58KW  
通道数量 1  
FET类型 1个P沟道  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 50A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V  
Vds-漏源极击穿电压 40V  
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