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CSD17573Q5B-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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TEXAS INSTRUMENTS

厂牌: TEXAS INSTRUMENTS

供应商: 云汉在库

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描述:3.2W(Ta),195W(Tc) 20V 1.8V@ 250µA 64nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 1mΩ@ 35A,10V 100A 9nF@15V PDFN-8 贴片安装 5mm*6mm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 PDFN-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 5mm*6mm*1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 3.2W(Ta),195W(Tc)  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9nF@15V  
栅极电荷 64nC@ 4.5 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V@ 250µA  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Id-连续漏极电流 100A  
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@ 35A,10V  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
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