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IRFB4227PBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商型号: IRFB4227PBF

供应商: 国内现货

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描述:Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220AB  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -40℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 9.02mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Vds-漏源极击穿电压 200V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 46A,10V  
配置 独立式  
最大功率耗散 330W(Tc)  
Id-连续漏极电流 65A  
Vgs-栅源极电压 30V  
栅极电荷 98nC@ 10 V  
通道数量 1  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.6nF@25V  
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