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VBsemi/微碧半导体

厂牌: VBsemi/微碧半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1000

批次: 2432+

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描述:台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,55A,RDS(ON),36mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220 具有高性能和可靠性,适用于各种功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和漏极-源极电阻,适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220AB  
RoHS -  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 36mΩ@10V,38mΩ@4.5V  
FET类型 1个N沟道  
配置 -  
栅极电荷 35nC@ 10V  
最大功率耗散 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V  
Id-连续漏极电流 55A  
通道数量 -  
Vgs-栅源极电压 20V  
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