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MDD/辰达半导体

厂牌: MDD/辰达半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

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描述:封装:SOT-23 参数:NPN型 VCBO180V 600mA 350mW 双极型晶体管(BJT) NPN IC(集电极最大电流)=600mA PD(最大功率)=350mW应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>三极管(BJT)  
通用封装 SOT-23  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
集电极电流 600mA  
VCBO-最大集电极基极电压 180V  
集电极截止电流 50μA  
VCEO-集电极-发射极最大电压 160V  
最大集电极发射极饱和电压 0.2@ 5mA,50mA  
VEBO-最大发射极基极电压 6V  
晶体管类型 NPN  
最大功率耗散 300mW  
配置 -  
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 0.15V@IC=50mA,IB=5mA  
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