处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
BSS138--云汉芯城ICKey.cn

BSS138 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
30+ ¥0.1034
300+ ¥0.0841
900+ ¥0.0734
3000+ ¥0.0592
15000+ ¥0.0536
30000+ ¥0.0506
  • 库存: 15055 起订量: 30 增量: 10
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

MDD/辰达半导体

厂牌: MDD/辰达半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

批次: 2452+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:封装:SOT-23 参数:N沟道 50V 0.5A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):50V,ID(DS最大平均电流):500mA,RDS(on)(DS导通内阻):0.9Ω@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 50V  
配置 -  
通道数量 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V  
栅极电荷 0.93nC@ 10V  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 500mW  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.8pF@30V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@VGS=10V,ID=300mA  
Id-连续漏极电流 340mA  
FET类型 2个N沟道  
推荐替代 查看更多>
VB162K
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
BSS138
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
BSS138(220mA)
厂牌: MDD/辰达半导体
分类:
相似度: 推荐替代
去搜索
BSS138
厂牌: BLUE ROCKET/佛山蓝箭电子
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧