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BSS138LT1G--云汉芯城ICKey.cn

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VBsemi/微碧半导体

厂牌: VBsemi/微碧半导体

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

封装及设计

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描述:N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23-3  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.8Ω@VGS = 4.5 V,ID = 150 mA  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V  
FET类型 1个N沟道  
配置 -  
最大功率耗散 300mW  
栅极电荷 4nC@ 25V  
通道数量 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF@25V  
Id-连续漏极电流 250mA  
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