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BSC011N03LSI-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

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描述:2.5W 20V 2V 68nC 1个N沟道 30V 1.1mΩ@ 10V 100A 4.3nF@ 15V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TDSON-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装,黏合安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Vgs-栅源极电压 20V  
配置 独立式quaddraintriplesource  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@ 15V  
最大功率耗散 2.5W  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V  
通道数量 1  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1mΩ@ 10V  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 68nC  
Id-连续漏极电流 100A  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
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