处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
IRLR8726TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

IRLR8726TRPBF 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥0.8847
10+ ¥0.7636
30+ ¥0.581
100+ ¥0.5399
300+ ¥0.527
2000+ ¥0.5114
  • 库存: 2797 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Infineon Technologies/IR

厂牌: Infineon Technologies/IR

供应商: 云汉在库

标准整包数: 2000

批次: 2424+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 86 A, DPAK封装, 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.52mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
FET类型 1个N沟道  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.15nF@15V  
栅极电荷 23nC@ 4.5 V  
最大功率耗散 75W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 25A,10V  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 86A  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA  
推荐替代 查看更多>
VBE1303
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
IRLR8726TRPBF
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
IRLR8726
厂牌: BYCHIP/百域芯
分类:
相似度: 推荐替代
去搜索
IRLR8726TRPBF-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧