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STN3P6F6-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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STMicroelectronics

厂牌: STMicroelectronics

供应商: 云汉在库

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描述:STMicroelectronics P沟道增强型MOS管 STripFET系列, Vds=60 V, 3 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-223  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.9mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 6.4nC@ 10 V  
通道数量 1  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 340pF@48V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 1.5A,10V  
Id-连续漏极电流 3A  
FET类型 1个P沟道  
配置 独立式  
最大功率耗散 2.6W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
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VBJ2658
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
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分类: 场效应管(MOSFET)
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厂牌: PANJIT/台湾强茂
分类: 场效应管(MOSFET)
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