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RUM002N02T2L-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:ROHM N沟道增强型MOS管 RUM002N02系列, Vds=20 V, 200 mA, SOT-723封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 VMT-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 150℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 550μm(高度)  
应用等级 -  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 150mW(Ta)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@1mA  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 200mA,2.5V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF@10V  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 200mA  
Vgs-栅源极电压 8V  
栅极电荷 -  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
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LM3134KM3
厂牌: Leiditech/上海雷卯电子
分类:
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