处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
SUD50P10-43L-E3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

SUD50P10-43L-E3 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥11.1817
10+ ¥10.3954
30+ ¥9.9031
100+ ¥8.9458
500+ ¥6.1361
1000+ ¥6.0426
  • 库存: 1922 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Vishay Intertechnology

厂牌: Vishay Intertechnology

供应商: 云汉在库

标准整包数: 2000

批次: 2511+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:8.3W(Ta),136W(Tc) 20V 3V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 100V 43mΩ@ 9.2A,10V 37.1A 4.6nF@50V TO-252AA 贴片安装 2.51mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252AA  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 2.51mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA  
最大功率耗散 8.3W(Ta),136W(Tc)  
配置 独立式  
通道数量 1  
FET类型 1个P沟道  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.6nF@50V  
Id-连续漏极电流 37.1A  
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@ 9.2A,10V  
栅极电荷 160nC@ 10 V  
推荐替代 查看更多>
VBE2104N
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
SUD50P10-43L
厂牌: BYCHIP/百域芯
分类:
相似度: 推荐替代
去搜索
SUD50P10-43L
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
SUD50P10-43L-E3-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧