处理中...

低价
拼团
G3R20MT17K-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

G3R20MT17K 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 中国香港 内地交货(含增值税13%)
1+ $117.4923 ¥1055.6449
5+ $112.1051 ¥1007.2422
10+ $108.2308 ¥972.4318
  • 库存: 62 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后7-13工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

GENESIC

厂牌: GENESIC

供应商型号: 3598657

供应商: element14

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:400nC@ 15 V 809W(Tc) 10.187nF@1000V 26mΩ@ 75A,15V 124A 1.7KV 2.7V@15mA 1个N沟道 TO-247-4 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>碳化硅场效应管  
通用封装 TO-247-4  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Idss-饱和漏极电流 -  
最大功率耗散 809W(Tc)  
最大功率 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.187nF@1000V  
栅极电荷 400nC@ 15 V  
通道数量 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 75A,15V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V@15mA  
FET类型 1个N沟道  
Id-连续漏极电流 124A  
击穿电压 -  
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV  
配置 -  
Vgs-栅源极电压 -  
推荐替代 查看更多>
G3R20MT17K
厂牌: isc/无锡固电半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
G3R40MT12K
厂牌: GeneSiC Semiconductor
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 71%
去搜索
AS1M040120T
厂牌: AnBon Semiconductor/台湾安邦半导体
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 71%
去搜索
NTH4L060N090SC1
厂牌: ON Semiconductor
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 71%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧