处理中...

低价
拼团
GCMS080B120S1-E1--云汉芯城ICKey.cn

GCMS080B120S1-E1 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 中国香港 内地交货(含增值税13%)
1+ $28.567 ¥237.1061
10+ $20.3364 ¥168.7921
100+ $18.4788 ¥153.374
  • 库存: 549 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后7-14工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

SemiQ Inc

厂牌: SemiQ Inc

供应商型号: 148-GCMS080B120S1-E1

供应商: Mouser

标准整包数: 1

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:58nC@ 20 V 142W(Tc) 1.374nF@1000V 100mΩ@ 20A,20V 30A 1.2KV 4V@10mA 1个N沟道 SOT-227 底座安装,贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>碳化硅场效应管  
通用封装 SOT-227  
RoHS 合规  
安装方式 底座安装,贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.374nF@1000V  
FET类型 1个N沟道  
配置 -  
最大功率 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 20A,20V  
Vgs-栅源极电压 -  
Id-连续漏极电流 30A  
通道数量 -  
栅极电荷 58nC@ 20 V  
最大功率耗散 142W(Tc)  
Idss-饱和漏极电流 -  
击穿电压 -  
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@10mA  
推荐替代 查看更多>
MSC080SMA120JS15
厂牌: Microchip Technology
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 75%
去搜索
MSC017SMA120J
厂牌: Microchip Technology
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 75%
去搜索
G3R20MT12N
厂牌: GeneSiC Semiconductor
分类: 碳化硅场效应管
相似度: 75%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧