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IRLML6401TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

IRLML6401TRPBF 秒杀商品
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INFINEON

厂牌: INFINEON

供应商型号: M-IRLML6401TRPBF

供应商: Future

标准整包数: 3000

批次: 24+

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描述:Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=12 V, 4.3 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 3000,SOT-23  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.12mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 15nC@ 5 V  
最大功率耗散 1.3W(Ta)  
FET类型 1个P沟道  
Vgs-栅源极电压 8V  
Id-连续漏极电流 4.3A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 950mV@ 250µA  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 830pF@10V  
Vds-漏源极击穿电压 12V  
通道数量 1  
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 4.3A,4.5V  
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