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TP65H480G4JSG-TR-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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TRANSPHORM

厂牌: TRANSPHORM

供应商型号: M-TP65H480G4JSG-TR

供应商: Future

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描述:13.2W(Tc) 2.8V@ 500µA 9nC@ 8 V 650V 560mΩ@ 3.4A,8V 3.6A 760pF@400V 1个N沟道 PQFN-3 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>氮化镓场效应管  
通用封装 PQFN-3  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 3.6A  
配置 -  
Vgs-栅源极电压 -  
最大功率 -  
最大功率耗散 13.2W(Tc)  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V@ 500µA  
击穿电压 -  
栅极电荷 9nC@ 8 V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 760pF@400V  
通道数量 -  
Vds-漏源极击穿电压 650V  
Idss-饱和漏极电流 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ@ 3.4A,8V  
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