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GT090N06D52-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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Goford Semiconductor

厂牌: Goford Semiconductor

供应商型号: 3141-GT090N06D52TR-ND

供应商: Digi-Key

标准整包数: 1

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描述:2.4V@ 250µA 24nC@ 10V 2个N沟道 60V 9mΩ@ 14A,10V 1.62nF@30V 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 24nC@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250µA  
配置 -  
FET类型 2个N沟道  
Vgs-栅源极电压 -  
Id-连续漏极电流 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 14A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@30V  
通道数量 -  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
最大功率耗散 -  
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