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Goford Semiconductor

厂牌: Goford Semiconductor

供应商型号: 4822-G65P06D5TR-ND

供应商: Digi-Key

标准整包数: 1

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描述:130W(Tc) 3.5V@ 250µA 75nC@ 10 V 1个P沟道 60V 18mΩ@ 20A,10V 60A 5.814nF@25V DFN-8 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs-栅源极电压 -  
FET类型 1个P沟道  
配置 -  
通道数量 -  
最大功率耗散 130W(Tc)  
栅极电荷 75nC@ 10 V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.814nF@25V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA  
Id-连续漏极电流 60A  
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 20A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
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