处理中...

低价
拼团
ALD1116SAL-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

ALD1116SAL 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 中国香港 内地交货(含增值税13%)
50+ $3.3726 ¥27.6926
100+ $3.0788 ¥25.2803
500+ $2.5643 ¥21.0555
1000+ $2.3991 ¥19.6992
2000+ $2.2969 ¥18.8597
  • 库存: 0 起订量: 50 增量: 50
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后10-15工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Advanced Linear Devices Inc

厂牌: Advanced Linear Devices Inc

供应商型号: ALD1116SAL

供应商: Digi-Key

标准整包数: 1

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:500mW 10.6V 1V@ 1µA 2个N沟道 10.6V 500Ω@ 5V 3pF@5V SOIC-8 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 0℃(TJ)-70℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 商业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
配置  
栅极电荷 -  
最大功率耗散 500mW  
Vgs-栅源极电压 10.6V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3pF@5V  
Rds(On)-漏源导通电阻 500Ω@ 5V  
Id-连续漏极电流 -  
FET类型 2个N沟道  
Vds-漏源极击穿电压 10.6V  
通道数量 2  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 1µA  
推荐替代 查看更多>
AOSD62666E
厂牌: Alpha & Omega Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
FDS3601
厂牌: Rochester Electronics
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
SI9926DY
厂牌: Fairchild Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧