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  • NRVBS540T3G

  • 牌: ON SEMICONDUCTOR
  • 本: 1.4
  • 述: The MBRS540T3 employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency r
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