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AO3400 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 1.4W 12V 0.7V~1.4V 30V 5.8A 825pF SOT-23-3L 贴片安装
    1.4W 12V 0.7V~1.4V 30V 5.8A 825pF SOT-23-3L 贴片安装
  • 库   存:100000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 3000+ ¥0.1425
  • 6000+ ¥0.1345
  • 9000+ ¥0.1289
合计:¥427.50
标准包装数量:3000

SI2333 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2333
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 1W 8V 1个P沟道 12V 22mΩ 5.1A 920pF@10V SOT-23-3L 贴片安装
    1W 8V 1个P沟道 12V 22mΩ 5.1A 920pF@10V SOT-23-3L 贴片安装
  • 库   存:100000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 3000+ ¥0.27
  • 6000+ ¥0.2549
  • 9000+ ¥0.2443
合计:¥810.00
标准包装数量:3000

CSD17579Q3A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17579Q3A
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on))、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on))、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.615
  • 10000+ ¥0.5806
  • 15000+ ¥0.5564
合计:¥3,075.00
标准包装数量:5000

AON7380 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7380
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟道技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟道技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.615
  • 10000+ ¥0.5806
  • 15000+ ¥0.5564
合计:¥3,075.00
标准包装数量:5000

AON3419 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON3419
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻(RDs(ON))并且门极电荷低。该器件非常适合高电流负载应用。
    采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻(RDs(ON))并且门极电荷低。该器件非常适合高电流负载应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.645
  • 10000+ ¥0.6089
  • 15000+ ¥0.5835
合计:¥3,225.00
标准包装数量:5000

AONR21321 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AONR21321
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供优异的导通性能、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供优异的导通性能、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.705
  • 10000+ ¥0.6655
  • 15000+ ¥0.6378
合计:¥3,525.00
标准包装数量:5000

BSC093N04LSG 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC093N04LSG
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.795
  • 10000+ ¥0.7505
  • 15000+ ¥0.7192
合计:¥3,975.00
标准包装数量:5000

SM6442D1RL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SM6442D1RL
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.825
  • 10000+ ¥0.7788
  • 15000+ ¥0.7464
合计:¥4,125.00
标准包装数量:5000

NTTFS4C25N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTTFS4C25N
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.825
  • 10000+ ¥0.7788
  • 15000+ ¥0.7464
合计:¥4,125.00
标准包装数量:5000

AON7403 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7403
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻(Rds(on)),并且栅极电荷较低。该器件非常适合高电流负载应用。
    采用先进的沟槽技术和设计,提供优异的导通电阻(Rds(on)),并且栅极电荷较低。该器件非常适合高电流负载应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.825
  • 10000+ ¥0.7788
  • 15000+ ¥0.7464
合计:¥4,125.00
标准包装数量:5000

IRFR5305TRPBF 场效应管(MOSFET)

  • 型号: IRFR5305TRPBF
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:--
  • 描述: 40W
    40W
  • 库   存:100000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 2500+ ¥1.2
  • 5000+ ¥1.1328
  • 7500+ ¥1.0856
合计:¥3,000.00
标准包装数量:2500

DMTH4008LPS-13 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH4008LPS-13
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rpson、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rpson、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥1.35
  • 10000+ ¥1.2744
  • 15000+ ¥1.2213
合计:¥6,750.00
标准包装数量:5000

BSC0805LSATMA1 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC0805LSATMA1
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的 SGT MOSFET 技术,提供低 Rds(on)、低栅极电荷、快速开关以及优异的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
    使用先进的 SGT MOSFET 技术,提供低 Rds(on)、低栅极电荷、快速开关以及优异的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥1.875
  • 10000+ ¥1.77
  • 15000+ ¥1.6963
合计:¥9,375.00
标准包装数量:5000

DMTH43M8LPSQ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMTH43M8LPSQ
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥2.1
  • 10000+ ¥1.9824
  • 10000+ ¥1.9824
合计:¥10,500.00
标准包装数量:5000
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