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AO3401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3401
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 1.2W 12V 30V 54mΩ 4.2A 880pF SOT-23-3L 贴片安装
    1.2W 12V 30V 54mΩ 4.2A 880pF SOT-23-3L 贴片安装
  • 库   存:100000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 3000+ ¥0.1275
  • 6000+ ¥0.1204
  • 9000+ ¥0.1153
合计:¥382.50
标准包装数量:3000

AO3415A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3415A
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:SOT-23-3L
  • 描述: 1.4W 10V 20V 45mΩ 4.1A 950pF SOT-23-3L 贴片安装
    1.4W 10V 20V 45mΩ 4.1A 950pF SOT-23-3L 贴片安装
  • 库   存:100000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 3000+ ¥0.1875
  • 6000+ ¥0.177
  • 9000+ ¥0.1696
合计:¥562.50
标准包装数量:3000

AON7410 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7410
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻 (R_DS(on))、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻 (R_DS(on))、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.42
  • 10000+ ¥0.3965
  • 15000+ ¥0.38
合计:¥2,100.00
标准包装数量:5000

AON7506 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7506
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(Rds(on))、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(Rds(on))、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.42
  • 10000+ ¥0.3965
  • 15000+ ¥0.38
合计:¥2,100.00
标准包装数量:5000

15N10 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 15N10
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:TO-252-2L
  • 描述: 34.7W 2.5V 26.2nC 100V 112mΩ 15A TO-252-2L 2.186mm(宽度)
    34.7W 2.5V 26.2nC 100V 112mΩ 15A TO-252-2L 2.186mm(宽度)
  • 库   存:100000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 2500+ ¥0.42
  • 5000+ ¥0.3965
  • 7500+ ¥0.38
合计:¥1,050.00
标准包装数量:2500

AON7430 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7430
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻 (R_DS(on))、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供优异的导通电阻 (R_DS(on))、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.42
  • 10000+ ¥0.3965
  • 15000+ ¥0.38
合计:¥2,100.00
标准包装数量:5000

AONR36368 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AONR36368
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供优异的导通性能、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供优异的导通性能、低栅极电荷,并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.525
  • 10000+ ¥0.4956
  • 15000+ ¥0.475
合计:¥2,625.00
标准包装数量:5000

AON7400A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7400A
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(on)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(on)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.525
  • 10000+ ¥0.4956
  • 15000+ ¥0.475
合计:¥2,625.00
标准包装数量:5000

AON7401 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7401
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟道技术,提供优异的Rds(on)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟道技术,提供优异的Rds(on)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.675
  • 10000+ ¥0.6372
  • 15000+ ¥0.6107
合计:¥3,375.00
标准包装数量:5000

AON7264E 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON7264E
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供优异的 Rds(on) 性能、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供优异的 Rds(on) 性能、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.795
  • 10000+ ¥0.7505
  • 15000+ ¥0.7192
合计:¥3,975.00
标准包装数量:5000

NVMFS5834NL 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NVMFS5834NL
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on)、低门极电荷,并可在低至4.5V的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的Rds(on)、低门极电荷,并可在低至4.5V的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.825
  • 10000+ ¥0.7788
  • 15000+ ¥0.7464
合计:¥4,125.00
标准包装数量:5000

Si7850DP 场效应管(MOSFET)

  • 型号: Si7850DP
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:--
  • 描述: 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
    类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.9
  • 10000+ ¥0.8496
  • 15000+ ¥0.8142
合计:¥4,500.00
标准包装数量:5000

FDMC4435BZ 场效应管(MOSFET)

  • 型号: FDMC4435BZ
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN3X3-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术和设计,提供低栅极电荷下的出色Rds(on)。该器件非常适合高电流负载应用。
    采用先进的沟槽技术和设计,提供低栅极电荷下的出色Rds(on)。该器件非常适合高电流负载应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.915
  • 10000+ ¥0.8638
  • 15000+ ¥0.8278
合计:¥4,575.00
标准包装数量:5000

DMT36M1LPS-13 场效应管(MOSFET)

  • 型号: DMT36M1LPS-13
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的导通性能、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的导通性能、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.975
  • 10000+ ¥0.9204
  • 15000+ ¥0.8821
合计:¥4,875.00
标准包装数量:5000

AON6360 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6360
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.975
  • 10000+ ¥0.9204
  • 15000+ ¥0.8821
合计:¥4,875.00
标准包装数量:5000

NTMFS4935N 场效应管(MOSFET)

  • 型号: NTMFS4935N
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低门极电荷,并可在低至 4.5V 的门极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥0.975
  • 10000+ ¥0.9204
  • 15000+ ¥0.8821
合计:¥4,875.00
标准包装数量:5000

AON6236 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AON6236
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的沟槽技术,提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    使用先进的沟槽技术,提供出色的 R_DS(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥1.05
  • 10000+ ¥0.9912
  • 15000+ ¥0.9499
合计:¥5,250.00
标准包装数量:5000

CSD17581Q5A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: CSD17581Q5A
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    采用先进的沟槽技术,提供出色的 Rds(on)、低栅极电荷,并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥1.05
  • 10000+ ¥0.9912
  • 15000+ ¥0.9499
合计:¥5,250.00
标准包装数量:5000

AOD409 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AOD409
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:--
  • 描述: 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A
    类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A
  • 库   存:100000
  • 起订量:2500
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 2500+ ¥1.2
  • 5000+ ¥1.1328
  • 7500+ ¥1.0856
合计:¥3,000.00
标准包装数量:2500

BSC098N10NS5 场效应管(MOSFET)

  • 型号: BSC098N10NS5
  • 厂牌:XBLW/芯伯乐
  • 封装:DFN5X6-8L
  • 描述: 使用先进的 SGT MOSFET 技术,提供低 RDS(on)、低栅极电荷以及出色的快速开关雪崩特性。该器件经过特别设计,以获得更好的耐用性并且适用。
    使用先进的 SGT MOSFET 技术,提供低 RDS(on)、低栅极电荷以及出色的快速开关雪崩特性。该器件经过特别设计,以获得更好的耐用性并且适用。
  • 库   存:100000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-19工作日
  • 5000+ ¥2.4
  • 10000+ ¥2.2656
  • 10000+ ¥2.2656
合计:¥12,000.00
标准包装数量:5000
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