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GC2M0080120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0080120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W
    封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W
  • 库   存:14
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥18.3964
  • 30+ ¥17.094
合计:¥18.40
标准包装数量:30

GC3M0060065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0060065D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 29A Pd-功耗: 150W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 650V Id-漏极电流(25℃): 29A Pd-功耗: 150W
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥21.357
  • 30+ ¥19.845
合计:¥21.36
标准包装数量:30

GC3M0040120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0040120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A
  • 库   存:10
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥42.714
  • 30+ ¥39.69
合计:¥42.71
标准包装数量:30

GC3M0075120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0075120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥18.648
  • 1350+ ¥18.3372
  • 2250+ ¥17.871
合计:¥8,391.60
标准包装数量:450

GC3M0065100K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0065100K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1000V Id-漏极电流(25℃): 32A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1000V Id-漏极电流(25℃): 32A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥35.28
  • 1350+ ¥34.692
  • 2250+ ¥33.81
合计:¥15,876.00
标准包装数量:450

GC3M0032120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥39.06
  • 1350+ ¥38.409
  • 2250+ ¥37.4325
合计:¥17,577.00
标准包装数量:450

GC3M0015065D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 功率(Pd): 416W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥52.92
  • 1350+ ¥52.038
  • 2250+ ¥50.715
合计:¥23,814.00
标准包装数量:450

GC3M0015065K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0015065K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 功率(Pd): 416W
    类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 120A 功率(Pd): 416W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥55.44
  • 1350+ ¥54.516
  • 1350+ ¥54.516
合计:¥24,948.00
标准包装数量:450
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