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GC2M1000170D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M1000170D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A
    封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 5A
  • 库   存:44
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    1工作日
  • 1+ ¥8.136
  • 30+ ¥7.56
合计:¥8.14
标准包装数量:30

GC2M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 18A
    封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 18A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥13.86
  • 1350+ ¥13.629
  • 2250+ ¥13.2825
合计:¥6,237.00
标准包装数量:450

GC2M0160120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0160120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 18A Pd-功耗: 125W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 18A Pd-功耗: 125W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥15.12
  • 1350+ ¥14.868
  • 2250+ ¥14.49
合计:¥6,804.00
标准包装数量:450

GC2M0080120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0080120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A Pd-功耗: 192W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥17.388
  • 1350+ ¥17.0982
  • 2250+ ¥16.6635
合计:¥7,824.60
标准包装数量:450

GC3M0075120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0075120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册 领券 16-15
    封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 32A 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435045 详细: 数据手册 领券 16-15
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥19.536
  • 1350+ ¥19.2104
  • 2250+ ¥18.722
合计:¥8,791.20
标准包装数量:450

GC3M0080120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0080120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型:TO247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A
    封装类型:TO247-4 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 36A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥20.16
  • 1350+ ¥19.824
  • 2250+ ¥19.32
合计:¥9,072.00
标准包装数量:450

GC3M0160120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0160120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 17A Pd-功耗: 97W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435047 详细: 数据手册 领券 16-15
    封装: TO-247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 17A Pd-功耗: 97W 类目: 碳化硅场效应管(MOSFET) 编号: C7435047 详细: 数据手册 领券 16-15
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥21.42
  • 1350+ ¥21.063
  • 2250+ ¥20.5275
合计:¥9,639.00
标准包装数量:450

GC3M0120090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 25A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 25A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥22.68
  • 1350+ ¥22.302
  • 2250+ ¥21.735
合计:¥10,206.00
标准包装数量:450

GC3M0280090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0280090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 10.2A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 10.2A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥23.94
  • 1350+ ¥23.541
  • 2250+ ¥22.9425
合计:¥10,773.00
标准包装数量:450

GC2M0280120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0280120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 11A
    封装: TO247-3 描述: SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 11A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥25.2
  • 1350+ ¥24.78
  • 2250+ ¥24.15
合计:¥11,340.00
标准包装数量:450

GC3M0065090D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0065090D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 36A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 900V Id-漏极电流(25℃): 36A
  • 库   存:1810
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥25.2
  • 1350+ ¥24.78
  • 2250+ ¥24.15
合计:¥11,340.00
标准包装数量:450

GC3M0040120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0040120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 66A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥29.616
  • 1350+ ¥29.1224
  • 2250+ ¥28.382
合计:¥13,327.20
标准包装数量:450

GC2M0040120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0040120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 55A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 55A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥30.24
  • 1350+ ¥29.736
  • 2250+ ¥28.98
合计:¥13,608.00
标准包装数量:450

GC3M0120100K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0120100K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1000V Id-漏极电流(25℃): 22A Pd-功耗: 83W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1000V Id-漏极电流(25℃): 22A Pd-功耗: 83W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥35.28
  • 1350+ ¥34.692
  • 2250+ ¥33.81
合计:¥15,876.00
标准包装数量:450

GC3M0032120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0032120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 63A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥44.16
  • 1350+ ¥43.424
  • 2250+ ¥42.32
合计:¥19,872.00
标准包装数量:450

GC3M0021120K 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120K
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-4
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 100A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥71.82
  • 1350+ ¥70.623
  • 2250+ ¥68.8275
合计:¥32,319.00
标准包装数量:450

GC2M0025120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0025120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A Pd-功耗: 378W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 90A Pd-功耗: 378W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥88.2
  • 1350+ ¥86.73
  • 2250+ ¥84.525
合计:¥39,690.00
标准包装数量:450

GC3M0016120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0016120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 115A Pd-功耗: 556W
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 115A Pd-功耗: 556W
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥88.2
  • 1350+ ¥86.73
  • 2250+ ¥84.525
合计:¥39,690.00
标准包装数量:450

GC3M0021120D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC3M0021120D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 8
    沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1200V Id-漏极电流(25℃): 8
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥112.776
  • 1350+ ¥110.8964
  • 2250+ ¥108.077
合计:¥50,749.20
标准包装数量:450

GC2M0045170D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: GC2M0045170D
  • 厂牌:SUPSiC/国晶微半导体
  • 封装:TO-247-3
  • 描述: 封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A
    封装类型: 单管 沟道类型: 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压: 1700V Id-漏极电流(25℃): 72A
  • 库   存:2250
  • 起订量:450
  • 增   量:450
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-10工作日
  • 450+ ¥138
  • 1350+ ¥135.7
  • 1350+ ¥135.7
合计:¥62,100.00
标准包装数量:450
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