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2N7002K-MDD 场效应管(MOSFET)

  • 型号: 2N7002K-MDD
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:--
  • 描述: --
  • 库   存:174000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    4-5工作日
  • 3000+ ¥0.0702
  • 6000+ ¥0.0692
  • 9000+ ¥0.0676
  • 12000+ ¥0.0671
合计:¥210.60
标准包装数量:3000

MDD2302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2302
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 20V 4A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):20V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):25mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 20V 4A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):20V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):25mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 3000+ ¥0.0756
  • 6000+ ¥0.0743
  • 9000+ ¥0.0725
  • 12000+ ¥0.0712
合计:¥226.80
标准包装数量:3000

MDD3404 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3404
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):23mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):23mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 45000+ ¥0.1104
  • 90000+ ¥0.1086
  • 135000+ ¥0.1058
  • 180000+ ¥0.104
合计:¥4,968.00
标准包装数量:3000

AO3415 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3415
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:36V
    封装:SOT-23 参数:36V
  • 库   存:1
  • 起订量:1
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1+ ¥0.2898
  • 200+ ¥0.1875
  • 1500+ ¥0.1622
  • 3000+ ¥0.1438
  • 45000+ ¥0.1426
  • 60000+ ¥0.1403
合计:¥0.29
标准包装数量:3000

MDD4N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD4N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    5-7工作日
  • 10000+ ¥0.582
  • 20000+ ¥0.5723
  • 30000+ ¥0.5578
  • 40000+ ¥0.5481
合计:¥5,820.00
标准包装数量:2500

MDD3401A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3401A
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 封装:SOT-23-3 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23-3 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 45000+ ¥0.1704
  • 90000+ ¥0.1676
  • 135000+ ¥0.1633
  • 180000+ ¥0.1605
合计:¥7,668.00
标准包装数量:3000

MDD50N06D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD50N06D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 60V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):17mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 60V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):17mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:2500
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 10000+ ¥0.5568
  • 20000+ ¥0.5475
  • 30000+ ¥0.5336
  • 40000+ ¥0.5243
合计:¥5,568.00
标准包装数量:2500

MDD7N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD7N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 5000+ ¥1.0452
  • 10000+ ¥1.0278
  • 15000+ ¥1.0017
  • 20000+ ¥0.9842
合计:¥5,226.00
标准包装数量:1000

MDD10N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD10N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 10A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):10.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.81Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 10A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):10.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.81Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 5000+ ¥1.4796
  • 10000+ ¥1.4549
  • 15000+ ¥1.418
  • 20000+ ¥1.3933
合计:¥7,398.00
标准包装数量:1000

MDD12N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD12N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 12A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):12.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.64Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 12A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):12.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.64Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 5000+ ¥1.8672
  • 10000+ ¥1.8361
  • 15000+ ¥1.7894
  • 20000+ ¥1.7583
合计:¥9,336.00
标准包装数量:1000

MDD20N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD20N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 20A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):20.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.42Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 20A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):20.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.42Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:1000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    9-11周
  • 5000+ ¥2.3736
  • 10000+ ¥2.334
  • 15000+ ¥2.2747
  • 15000+ ¥2.2747
合计:¥11,868.00
标准包装数量:1000
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