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MDD2302 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2302
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:N沟道 20V 4A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):20V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):25mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23 参数:N沟道 20V 4A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):20V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):25mΩ@4.5V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:3000
  • 起订量:3000
  • 增   量:3000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 3000+ ¥0.0738
  • 6000+ ¥0.0725
  • 9000+ ¥0.0707
合计:¥221.40
标准包装数量:3000

AO3415 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3415
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 封装:SOT-23 参数:36V
    封装:SOT-23 参数:36V
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 45000+ ¥0.1538
  • 90000+ ¥0.1512
  • 135000+ ¥0.1473
合计:¥6,921.00
标准包装数量:3000

MDD4N65D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD4N65D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-252 参数:N沟道 650V 4A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):4.0A,RDS(on)(DS导通内阻):2.5Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 10000+ ¥0.4975
  • 20000+ ¥0.4892
  • 30000+ ¥0.4768
合计:¥4,975.00
标准包装数量:2500

AO3400-5.8A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: AO3400-5.8A
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 1.5W(Ta) 1.2V@ 250µA 10.5nC@ 15 V 1个N沟道 30V 32mΩ@ 5.8A,10V 5.8A 630pF@15V SOT-23 贴片安装
    1.5W(Ta) 1.2V@ 250µA 10.5nC@ 15 V 1个N沟道 30V 32mΩ@ 5.8A,10V 5.8A 630pF@15V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:216000
  • 起订量:12000
  • 增   量:12000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 12000+ $0.1208 ¥0.9867
合计:¥11,840.40
标准包装数量:1

SI2301S-2.3A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301S-2.3A
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 225mW(Ta) 1V@ 250µA 6.6nC@ 10 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 3A,4.5V 330pF@10V SOT-23 贴片安装
    225mW(Ta) 1V@ 250µA 6.6nC@ 10 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 3A,4.5V 330pF@10V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:528000
  • 起订量:6000
  • 增   量:6000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 6000+ $0.1418 ¥1.1583
合计:¥6,949.80
标准包装数量:1

SI2301-3A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: SI2301-3A
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 225mW(Ta) 1V@ 250µA 6.6nC@ 10 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 3A,4.5V 3A 330pF@10V SOT-23 贴片安装
    225mW(Ta) 1V@ 250µA 6.6nC@ 10 V 1个P沟道 20V 90mΩ@ 3A,4.5V 3A 330pF@10V SOT-23 贴片安装
  • 库   存:186000
  • 起订量:6000
  • 增   量:6000
  • 批   次:--
  • 中国香港
    9-14工作日
    内地交货(含增值税)
    10-15工作日
  • 6000+ $0.1628 ¥1.3299
合计:¥7,979.40
标准包装数量:1

MDD3400A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3400A
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 封装:SOT-23-3 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23-3 参数:N沟道 30V 5.8A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):30V,ID(DS最大平均电流):5.8A,RDS(on)(DS导通内阻):27mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 45000+ ¥0.1325
  • 90000+ ¥0.1303
  • 135000+ ¥0.127
合计:¥5,962.50
标准包装数量:3000

MDD3401A 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD3401A
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:SOT-23-3
  • 描述: 封装:SOT-23-3 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:SOT-23-3 参数:P沟道 -30V -4.2A 场效应管(Trench MOSFET)大23VDSS(DS最小反向击穿电压):-30V,ID(DS最大平均电流):-4.2A,RDS(on)(DS导通内阻):45mΩ@-10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:45000
  • 起订量:45000
  • 增   量:45000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 45000+ ¥0.145
  • 90000+ ¥0.1426
  • 135000+ ¥0.139
合计:¥6,525.00
标准包装数量:3000

MDD2300 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD2300
  • 厂牌:MDD
  • 封装:SOT-23
  • 描述: 6.6nC@ 4.5V 19.4mΩ@ 4.5V,4A 6.2A SOT-23
    6.6nC@ 4.5V 19.4mΩ@ 4.5V,4A 6.2A SOT-23
  • 库   存:5
  • 起订量:10
  • 增   量:1
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    3-5工作日
  • 1+ ¥0.4336
  • 200+ ¥0.1438
  • 1500+ ¥0.0903
  • 3000+ ¥0.0718
  • 45000+ ¥0.0713
  • 60000+ ¥0.0707
合计:¥4.34
标准包装数量:3000

MDD50N06D 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD50N06D
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-252
  • 描述: 封装:TO-252 参数:N沟道 60V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):17mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    封装:TO-252 参数:N沟道 60V 50A 场效应管(Trench MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):60V,ID(DS最大平均电流):50A,RDS(on)(DS导通内阻):17mΩ@10V应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
  • 库   存:10000
  • 起订量:10000
  • 增   量:10000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 10000+ ¥0.4975
  • 20000+ ¥0.4892
  • 30000+ ¥0.4768
合计:¥4,975.00
标准包装数量:2500

MDD7N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD7N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 7A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):7.0A,RDS(on)(DS导通内阻):1.2Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 5000+ ¥0.9563
  • 10000+ ¥0.9403
  • 15000+ ¥0.9164
合计:¥4,781.50
标准包装数量:1000

MDD10N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD10N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 10A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):10.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.81Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 10A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):10.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.81Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 5000+ ¥1.1475
  • 10000+ ¥1.1284
  • 15000+ ¥1.0997
合计:¥5,737.50
标准包装数量:1000

MDD20N65F 场效应管(MOSFET)

  • 型号: MDD20N65F
  • 厂牌:MDD/辰达半导体
  • 封装:TO-220F
  • 描述: 封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 20A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):20.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.42Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
    封装:TO-220F 参数:N沟道 650V 20A 场效应管(Planar MOSFET)VDSS(DS最小反向击穿电压):650V,ID(DS最大平均电流):20.0A,RDS(on)(DS导通内阻):0.42Ω@VGS=10V应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
  • 库   存:5000
  • 起订量:5000
  • 增   量:5000
  • 批   次:--
  • 内地交货(含增值税)
    8-10周
  • 5000+ ¥2.1038
  • 10000+ ¥2.0687
  • 10000+ ¥2.0687
合计:¥10,519.00
标准包装数量:1000
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